Comprar Infineon Technologies IPS65R650CEAKMA1 MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK

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IPS65R650CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 10.1A IPAK

Número de pieza

IPS65R650CEAKMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Paquete de dispositivo del proveedor

IPAK (TO-251)

Disipación de energía (máx.)

86W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

700V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 210µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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