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IPW60R099CPAFKSA1

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
Número de pieza
IPW60R099CPAFKSA1
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO247-3
Disipación de energía (máx.)
255W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
31A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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Palabras clave deIPW60R099CPAFKSA1
IPW60R099CPAFKSA1 Componentes electrónicos
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