La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF3710ZPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Número de pieza
IRF3710ZPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
160W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
59A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 49457 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF3710ZPBF
IRF3710ZPBF Componentes electrónicos
IRF3710ZPBF Ventas
IRF3710ZPBF Proveedor
IRF3710ZPBF Distribuidor
IRF3710ZPBF Tabla de datos
IRF3710ZPBF Fotos
IRF3710ZPBF Precio
IRF3710ZPBF Oferta
IRF3710ZPBF El precio más bajo
IRF3710ZPBF Buscar
IRF3710ZPBF Adquisitivo
IRF3710ZPBF Chip