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IRF5803D2
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Número de pieza
IRF5803D2
Fabricante/Marca
Serie
FETKY™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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