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IRF5810TR
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Número de pieza
IRF5810TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
960mW
Paquete de dispositivo del proveedor
6-TSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.9A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 16V
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