Comprar Infineon Technologies IRF6201TRPBF MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC

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Hojas de datos

IRF6201TRPBF

MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC

Número de pieza

IRF6201TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

27A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.45 mOhm @ 27A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8555pF @ 16V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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