Comprar Infineon Technologies IRF6602 MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

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IRF6602

MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

Número de pieza

IRF6602

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric MQ

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET™ MQ

Disipación de energía (máx.)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Ta), 48A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1420pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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