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IRF6621TRPBF

IRF6621TRPBF

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Número de pieza
IRF6621TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
DirectFET™ Isometric SQ
Paquete de dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ SQ
Disipación de energía (máx.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Ta), 55A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.25V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1460pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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