Comprar Infineon Technologies IRF6893MTR1PBF MOSFET N-CH 25V 29A MX

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Hojas de datos

IRF6893MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 29A MX

Número de pieza

IRF6893MTR1PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric MX

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET™ MX

Disipación de energía (máx.)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

29A (Ta), 168A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.6 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.1V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3480pF @ 13V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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