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IRF6894MTR1PBF

IRF6894MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Número de pieza
IRF6894MTR1PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
DirectFET™ Isometric MX
Paquete de dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ MX
Disipación de energía (máx.)
2.1W (Ta), 54W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Body)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
32A (Ta), 160A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.3 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.1V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4160pF @ 13V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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