Comprar Infineon Technologies IRF7351PBF MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

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IRF7351PBF

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Número de pieza

IRF7351PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

17.8 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 30V

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