Comprar Infineon Technologies IRF7465TRPBF MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

IRF7465TRPBF

MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC

Número de pieza

IRF7465TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

150V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.9A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 1.14A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 46671 PCS

Información del contacto