Comprar Infineon Technologies IRF7601TR MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

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Hojas de datos

IRF7601TR

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

Número de pieza

IRF7601TR

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

Micro8™

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.7A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

700mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.7V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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