La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF7663TR

IRF7663TR

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Número de pieza
IRF7663TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro8™
Disipación de energía (máx.)
1.8W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2520pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 44352 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRF7663TR
IRF7663TR Componentes electrónicos
IRF7663TR Ventas
IRF7663TR Proveedor
IRF7663TR Distribuidor
IRF7663TR Tabla de datos
IRF7663TR Fotos
IRF7663TR Precio
IRF7663TR Oferta
IRF7663TR El precio más bajo
IRF7663TR Buscar
IRF7663TR Adquisitivo
IRF7663TR Chip