Comprar Infineon Technologies IRF7769L2TRPBF MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8

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Hojas de datos

IRF7769L2TRPBF

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8

Número de pieza

IRF7769L2TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric L8

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET L8

Disipación de energía (máx.)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

375A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 74A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11560pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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