La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF7811TR

IRF7811TR

MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
Número de pieza
IRF7811TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
3.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
28V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
14A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 16V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 20229 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRF7811TR
IRF7811TR Componentes electrónicos
IRF7811TR Ventas
IRF7811TR Proveedor
IRF7811TR Distribuidor
IRF7811TR Tabla de datos
IRF7811TR Fotos
IRF7811TR Precio
IRF7811TR Oferta
IRF7811TR El precio más bajo
IRF7811TR Buscar
IRF7811TR Adquisitivo
IRF7811TR Chip