Comprar Infineon Technologies IRF8113TRPBF MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

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Hojas de datos

IRF8113TRPBF

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Número de pieza

IRF8113TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

17.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 17.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2910pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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