La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFB3207PBF
MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB
Número de pieza
IRFB3207PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
330W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
75V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
170A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 7785 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFB3207PBF
IRFB3207PBF Componentes electrónicos
IRFB3207PBF Ventas
IRFB3207PBF Proveedor
IRFB3207PBF Distribuidor
IRFB3207PBF Tabla de datos
IRFB3207PBF Fotos
IRFB3207PBF Precio
IRFB3207PBF Oferta
IRFB3207PBF El precio más bajo
IRFB3207PBF Buscar
IRFB3207PBF Adquisitivo
IRFB3207PBF Chip