La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFB4127PBF
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
Número de pieza
IRFB4127PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
76A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 26422 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFB4127PBF
IRFB4127PBF Componentes electrónicos
IRFB4127PBF Ventas
IRFB4127PBF Proveedor
IRFB4127PBF Distribuidor
IRFB4127PBF Tabla de datos
IRFB4127PBF Fotos
IRFB4127PBF Precio
IRFB4127PBF Oferta
IRFB4127PBF El precio más bajo
IRFB4127PBF Buscar
IRFB4127PBF Adquisitivo
IRFB4127PBF Chip