La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Número de pieza
IRFB4227PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
330W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
65A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 51129 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFB4227PBF
IRFB4227PBF Componentes electrónicos
IRFB4227PBF Ventas
IRFB4227PBF Proveedor
IRFB4227PBF Distribuidor
IRFB4227PBF Tabla de datos
IRFB4227PBF Fotos
IRFB4227PBF Precio
IRFB4227PBF Oferta
IRFB4227PBF El precio más bajo
IRFB4227PBF Buscar
IRFB4227PBF Adquisitivo
IRFB4227PBF Chip