Comprar Infineon Technologies IRFH8201TRPBF MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

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Hojas de datos

IRFH8201TRPBF

MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

Número de pieza

IRFH8201TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PQFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

49A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

0.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.35V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

111nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7330pF @ 13V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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