Comprar Infineon Technologies IRFHS9301TRPBF MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

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Hojas de datos

IRFHS9301TRPBF

MOSFET P-CH 30V 6A PQFN

Número de pieza

IRFHS9301TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

6-PQFN (2x2)

Disipación de energía (máx.)

2.1W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6A (Ta), 13A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

37 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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