Comprar Infineon Technologies IRFI4510GPBF MOSFET N CH 100V 35A TO220

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IRFI4510GPBF

MOSFET N CH 100V 35A TO220

Número de pieza

IRFI4510GPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB Full-Pak

Disipación de energía (máx.)

42W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

35A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2998pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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