Comprar Infineon Technologies IRFP4668PBF MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

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IRFP4668PBF

MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

Número de pieza

IRFP4668PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247AC

Disipación de energía (máx.)

520W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

130A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9.7 mOhm @ 81A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

241nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10720pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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