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IRFR12N25DTRLP

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

Número de pieza

IRFR12N25DTRLP

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

144W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

250V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

14A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

260 mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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