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IRFR9N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Número de pieza

IRFR9N20DPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

86W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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