La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFSL3006PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Número de pieza
IRFSL3006PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-262
Disipación de energía (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
195A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8970pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 39845 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFSL3006PBF
IRFSL3006PBF Componentes electrónicos
IRFSL3006PBF Ventas
IRFSL3006PBF Proveedor
IRFSL3006PBF Distribuidor
IRFSL3006PBF Tabla de datos
IRFSL3006PBF Fotos
IRFSL3006PBF Precio
IRFSL3006PBF Oferta
IRFSL3006PBF El precio más bajo
IRFSL3006PBF Buscar
IRFSL3006PBF Adquisitivo
IRFSL3006PBF Chip