Comprar Infineon Technologies IRFSL38N20DPBF MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3

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IRFSL38N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3

Número de pieza

IRFSL38N20DPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-262

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

43A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

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