La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFU1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Número de pieza
IRFU1010ZPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
IPAK (TO-251)
Disipación de energía (máx.)
140W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
55V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
42A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 31893 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFU1010ZPBF
IRFU1010ZPBF Componentes electrónicos
IRFU1010ZPBF Ventas
IRFU1010ZPBF Proveedor
IRFU1010ZPBF Distribuidor
IRFU1010ZPBF Tabla de datos
IRFU1010ZPBF Fotos
IRFU1010ZPBF Precio
IRFU1010ZPBF Oferta
IRFU1010ZPBF El precio más bajo
IRFU1010ZPBF Buscar
IRFU1010ZPBF Adquisitivo
IRFU1010ZPBF Chip