La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFU3410

IRFU3410

MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
Número de pieza
IRFU3410
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
IPAK (TO-251)
Disipación de energía (máx.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
31A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 50211 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRFU3410
IRFU3410 Componentes electrónicos
IRFU3410 Ventas
IRFU3410 Proveedor
IRFU3410 Distribuidor
IRFU3410 Tabla de datos
IRFU3410 Fotos
IRFU3410 Precio
IRFU3410 Oferta
IRFU3410 El precio más bajo
IRFU3410 Buscar
IRFU3410 Adquisitivo
IRFU3410 Chip