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IRG8CH184K10F
IGBT CHIP WAFER
Número de pieza
IRG8CH184K10F
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tipo de entrada
Standard
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
Corriente - Colector (Ic) (Max)
200A
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
1200V
Tipo IGBT
-
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 200A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)
-
Energía de conmutación
-
Cargo de puerta
1110nC
Td (encendido/apagado) @ 25�C
135ns/640ns
Condición de prueba
600V, 200A, 2 Ohm, 15V
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