Comprar Infineon Technologies IRL2910STRRPBF MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

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IRL2910STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

Número de pieza

IRL2910STRRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

55A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

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