Comprar Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

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IRLBD59N04ETRLP

MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Número de pieza

IRLBD59N04ETRLP

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263-5

Disipación de energía (máx.)

130W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

59A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2190pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

5V, 10V

Vgs (máx.)

±10V

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