Comprar Infineon Technologies IRLML2502TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

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Hojas de datos

IRLML2502TRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

Número de pieza

IRLML2502TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

Micro3™/SOT-23

Disipación de energía (máx.)

1.25W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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