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IRLMS1902TRPBF
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Número de pieza
IRLMS1902TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Disipación de energía (máx.)
1.7W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.7V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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