Comprar Infineon Technologies IRLR8103 MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK

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IRLR8103

MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK

Número de pieza

IRLR8103

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

89W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

89A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA (Min)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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