Comprar Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

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SPB18P06PGATMA1

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Número de pieza

SPB18P06PGATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D²PAK (TO-263AB)

Disipación de energía (máx.)

81.1W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18.7A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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