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SPU08P06P
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
Número de pieza
SPU08P06P
Fabricante/Marca
Serie
SIPMOS®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Disipación de energía (máx.)
42W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.83A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
-
Vgs (máx.)
-
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