La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFH12N120

IXFH12N120

MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
Número de pieza
IXFH12N120
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Disipación de energía (máx.)
500W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3400pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 15875 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFH12N120
IXFH12N120 Componentes electrónicos
IXFH12N120 Ventas
IXFH12N120 Proveedor
IXFH12N120 Distribuidor
IXFH12N120 Tabla de datos
IXFH12N120 Fotos
IXFH12N120 Precio
IXFH12N120 Oferta
IXFH12N120 El precio más bajo
IXFH12N120 Buscar
IXFH12N120 Adquisitivo
IXFH12N120 Chip