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IXFH150N17T2

MOSFET N-CH 175V 150A TO-247

Número de pieza

IXFH150N17T2

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247AD (IXFH)

Disipación de energía (máx.)

880W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

175V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

150A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

233nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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