La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFK30N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
Número de pieza
IXFK30N100Q2
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-264-3, TO-264AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Disipación de energía (máx.)
735W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
30A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
186nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8200pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 46562 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFK30N100Q2
IXFK30N100Q2 Componentes electrónicos
IXFK30N100Q2 Ventas
IXFK30N100Q2 Proveedor
IXFK30N100Q2 Distribuidor
IXFK30N100Q2 Tabla de datos
IXFK30N100Q2 Fotos
IXFK30N100Q2 Precio
IXFK30N100Q2 Oferta
IXFK30N100Q2 El precio más bajo
IXFK30N100Q2 Buscar
IXFK30N100Q2 Adquisitivo
IXFK30N100Q2 Chip