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IXFN100N65X2

MOSFET N-CH

Número de pieza

IXFN100N65X2

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

595W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

78A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 4mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

183nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10800pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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