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IXFN170N25X3

MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Número de pieza

IXFN170N25X3

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

390W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

250V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

170A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7.4 mOhm @ 85A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 4mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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