La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFN32N80P

IXFN32N80P

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Número de pieza
IXFN32N80P
Fabricante/Marca
Serie
PolarHV™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
625W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
29A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8820pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 50696 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFN32N80P
IXFN32N80P Componentes electrónicos
IXFN32N80P Ventas
IXFN32N80P Proveedor
IXFN32N80P Distribuidor
IXFN32N80P Tabla de datos
IXFN32N80P Fotos
IXFN32N80P Precio
IXFN32N80P Oferta
IXFN32N80P El precio más bajo
IXFN32N80P Buscar
IXFN32N80P Adquisitivo
IXFN32N80P Chip