La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFN70N120SK
MOSFET N-CH
Número de pieza
IXFN70N120SK
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
68A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 15mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
161nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2790pF @ 1000V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 9446 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFN70N120SK
IXFN70N120SK Componentes electrónicos
IXFN70N120SK Ventas
IXFN70N120SK Proveedor
IXFN70N120SK Distribuidor
IXFN70N120SK Tabla de datos
IXFN70N120SK Fotos
IXFN70N120SK Precio
IXFN70N120SK Oferta
IXFN70N120SK El precio más bajo
IXFN70N120SK Buscar
IXFN70N120SK Adquisitivo
IXFN70N120SK Chip