La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFR14N100Q2

IXFR14N100Q2

MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
Número de pieza
IXFR14N100Q2
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
ISOPLUS247™
Paquete de dispositivo del proveedor
ISOPLUS247™
Disipación de energía (máx.)
200W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 24747 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFR14N100Q2
IXFR14N100Q2 Componentes electrónicos
IXFR14N100Q2 Ventas
IXFR14N100Q2 Proveedor
IXFR14N100Q2 Distribuidor
IXFR14N100Q2 Tabla de datos
IXFR14N100Q2 Fotos
IXFR14N100Q2 Precio
IXFR14N100Q2 Oferta
IXFR14N100Q2 El precio más bajo
IXFR14N100Q2 Buscar
IXFR14N100Q2 Adquisitivo
IXFR14N100Q2 Chip