La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFT140N10P
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
Número de pieza
IXFT140N10P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
600W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
140A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 21238 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFT140N10P
IXFT140N10P Componentes electrónicos
IXFT140N10P Ventas
IXFT140N10P Proveedor
IXFT140N10P Distribuidor
IXFT140N10P Tabla de datos
IXFT140N10P Fotos
IXFT140N10P Precio
IXFT140N10P Oferta
IXFT140N10P El precio más bajo
IXFT140N10P Buscar
IXFT140N10P Adquisitivo
IXFT140N10P Chip