La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTA2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
Número de pieza
IXTA2R4N120P
Fabricante/Marca
Serie
Polar™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263 (IXTA)
Disipación de energía (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1207pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 23502 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P Componentes electrónicos
IXTA2R4N120P Ventas
IXTA2R4N120P Proveedor
IXTA2R4N120P Distribuidor
IXTA2R4N120P Tabla de datos
IXTA2R4N120P Fotos
IXTA2R4N120P Precio
IXTA2R4N120P Oferta
IXTA2R4N120P El precio más bajo
IXTA2R4N120P Buscar
IXTA2R4N120P Adquisitivo
IXTA2R4N120P Chip