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IXTN32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
Número de pieza
IXTN32P60P
Fabricante/Marca
Serie
PolarP™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
890W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
32A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
11100pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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