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DS1270W-100IND#
IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36EDIP
Número de pieza
DS1270W-100IND#
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
36-EDIP
Suministro de voltaje
3 V ~ 3.6 V
Tipo de memoria
Non-Volatile
Tamaño de la memoria
16Mb (2M x 8)
Tiempo de acceso
100ns
Frecuencia de reloj
-
Formato de memoria
NVSRAM
Tiempo de ciclo de escritura: Word, página
100ns
interfaz de memoria
Parallel
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